IRF7478PBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1740pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1206-470 1% |
|
ЧИП - резистор 470 Ом, 1%, 0.25Вт | 41 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||
 |
1206-470 5% |
|
ЧИП — резистор 470кОм, 5%, 1206 |
|
0.96 >500 шт. 0.32 |
|||
| MCP1525T-I/TT |
|
Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin | MICRO CHIP | 7 256 | 54.30 | |||
| MCP1525T-I/TT |
|
Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin | 45 | 111.00 | ||||
| MCP1525T-I/TT |
|
Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin | Microchip Technology |
|
|
|||
| MCP1525T-I/TT |
|
Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin | MICRO CHIP | 716 |
|
|||
|
|
NUP2201MR6T1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 044 | 830.38 | ||||
|
|
NUP2201MR6T1G | 2 | 147.42 | |||||
|
|
NUP2201MR6T1G | ONS | 800 | 49.95 | ||||
|
|
NUP2201MR6T1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 401 |
|
||||
|
|
NUP2201MR6T1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| SMBJ11A | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| SMBJ11A | Littelfuse Inc |
|
|
|||||
| SMBJ11A | Bourns Inc |
|
|
|||||
| SMBJ11A | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| SMBJ11A |
|
|
||||||
| SMBJ11A | LTL |
|
|
|||||
| SMBJ11A | LITTELFUSE |
|
|
|||||
| SMBJ11A | JINGDAO |
|
|
