IRF7853PBF


Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 8.3A 2.5W, 0.018R)

Купить IRF7853PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7853PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRF7853PBF

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 8.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.3A
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1640pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7853PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7853PBF datasheet
208.7 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    IR11672AS     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IR11672AS       Заказ радиодеталей 169.60 
    IR11672AS     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7493PBF     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7493PBF     INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7493PBF       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7494PBF N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7494PBF N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRF7494PBF N-канальный Полевой транзистор 150V 5,2A 3,0W 0,044R   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход