IRF7862PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (30V, 21A)
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4090pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7862PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FBT FCV-1422L01 |
|
|
||||||
| FBT FCV-1422L01 | JAVA | 1 | 170.39 | |||||
| FBT FCV-1422L01 |
|
|
||||||
| FBT PET23-02 |
|
|
||||||
| GT30J322 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| GT30J322 | TOS |
|
|
|||||
| GT30J322 |
|
841.04 | ||||||
| GT60N321[Q] | TOSHIBA |
|
|
|||||
| GT60N321[Q] | TOS |
|
|
|||||
| GT60N321[Q] |
|
1 057.20 | ||||||
| IRGP4063DPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRGP4063DPBF | INFINEON | 1 152 | 411.83 | |||||
| IRGP4063DPBF |
|
|
