IRF7862PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (30V, 21A)
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4090pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7862PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EC5575F (AS15-F) |
|
1 609.20 | ||||||
| EC5575F (AS15-F) |
|
1 609.20 | ||||||
| EC5575F (AS15-F) | E-CMOS |
|
|
|||||
| FBT FCV-1422L01 |
|
|
||||||
| FBT FCV-1422L01 | JAVA | 1 | 170.39 | |||||
| FBT FCV-1422L01 |
|
|
||||||
| FSFR1700 | FSC |
|
|
|||||
| FSFR1700 |
|
1 560.00 | ||||||
| FSFR1700 | FAIR |
|
|
|||||
| FSFR1700 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FSFR1700 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FSFR1700 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FSFR1700 | FSC1 |
|
|
|||||
| FSFR1700 | ONS |
|
|
|||||
| GT30J322 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| GT30J322 | TOS |
|
|
|||||
| GT30J322 |
|
841.04 | ||||||
| LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
| LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
