![]() |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A, 11A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 766pF @ 15V |
Power - Max | 1.5W, 2.4W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF8513PbF (MOSFET) 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | ПТ6-13В Тумблеры предназначены для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока Масса тумблера не более 41 гр Рабочая температура от -60 до +... 316.80 руб Купить |
![]() | СР75-610ФВ Соединители типа СР-50 для соединения байонетным или резьбовым способом радиочастотных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом. Диапазон частот от 300... 1056.00 руб Купить |
![]() | IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A Купить |
|
Корзина
|