IRFB3006PBF
Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 170A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8970pF @ 50V |
| Power - Max | 375W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB3006PbF (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Производитель:
|
