IRFB4110PBF
Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4110PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
