IRFB4115PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB4115PBF	656	94.90
IRFB4115PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	24	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4115PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 62A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	104A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5270pF @ 50V
Power - Max	380W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4115PbF (MOSFET)

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4115PBF datasheet
309 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
INA214AIDCKR		Texas Instruments
INA214AIDCKR		TEXAS
INA214AIDCKR
IR2213	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2213	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7		663.80
IR2213	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7	INFINEON
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А		580.00
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А	INFINEON
IRFB7534		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB7534		INFINEON
IRFB7534
IRG4BC30KD	Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4BC30KD	Транзистор IGBT модуль единичный		199.24
IRG4BC30KD	Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON