IRFR3710ZPBF


Транзистор N-канальный MOSFET 100V 56A

IRFR3710ZPBF (заказ)
IRFR3710ZPBF

Технические характеристики IRFR3710ZPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs100nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C42A
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 33A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2930pF @ 25V
Power - Max140W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru