IRFR3710ZPBF
Транзистор N-канальный MOSFET 100V 56A
Технические характеристики IRFR3710ZPBF
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 33A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2930pF @ 25V |
Power - Max | 140W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru