![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 mOhm @ 195A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V |
Power - Max | 380W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRFSL3004PbF (MOSFET) 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SA-10-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 10 В | TREC |
![]() |
![]() |
|||
SA-10-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 10 В |
![]() |
17.12 | ||||
SA-10-1000 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 10 В | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|||
К78-2-0.022МКФ 1000 (10%) |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|