IRG4PC50UDPBF

Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C).

Структура N-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.65
Управляющее напряжение,В 6.0
Мощность макс.,Вт 200
Максимальная частота переключения, кГц 40
Температурный диапазон,С -55…150

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PC50UDPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 27A
Current - Collector (Ic) (Max)	55A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C).

IRG4PC50UDPBF datasheet
691,95kB
11стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	SEMICRON
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	EIC
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	DC COMPONENTS	2 322	26.78
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	ST MICROELECTRONICS
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	SMK
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в			54.16
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	GALAXY
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	Littelfuse Inc
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	STMicroelectronics
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	MIC	2 891	21.28
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	КИТАЙ
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	YJ
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	LITTELFUSE
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	KINGTRON
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	GENERAL SEMICONDUCTOR	12
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	VISHAY
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	GALAXY ME
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	LTL
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	MIG
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	HOTTECH
1.5KE400CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в	RECTIFIER	332	16.00
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			1 140.00
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	Vishay/Semiconductors
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД.	Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц	EPCOS
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД.	Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц			508.48
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	84.15
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...			53.40
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
IRF530	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт		4	8.75
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	П/П 2
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСК	55	16.00
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	RUS
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	СЗТП	80	56.10
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	РОССИЯ
КС213Б	Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

IRG4PC50UDPBF

Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C).

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают: