Версия для печати
Технические характеристики IRG4PH50UDPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 24A
Current - Collector (Ic) (Max)	45A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0.125ВТ 0805 300 ОМ, 1%			ТАЙВАНЬ
		AB0093 300Х172Х38ММ			ЛИГРА
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ	NXP
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ	PHILIPS	400	45.90
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ		2	54.00
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ	PHILIPS
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ	PHILIPS SEMIC
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ		2	54.00
		HEF4001BP		CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ	NEX
		TT 20Г
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		646	70.00
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	474	96.90
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 406	79.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"