Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5185pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 3.6W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-VQFN |
Корпус | PQFN (5x6) Single Die |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3296X-10К | Потенциометр — резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, 10% | CHINA | ||||||
3296X-10К | Потенциометр — резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, 10% | CHINA NATIONAL | ||||||
3296X-10К | Потенциометр — резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, 10% | 17.72 | ||||||
3296X-200К | Потенциометр — резистор подстроечный | CHINA | ||||||
3296X-200К | Потенциометр — резистор подстроечный | CHINA NATIONAL | ||||||
3296X-200К | Потенциометр — резистор подстроечный | 27.84 | ||||||
CRCW0603100KFKEA | VISHAY | |||||||
CRCW0603100KFKEA | ||||||||
CRCW0603100KFKEA | VISHAY | |||||||
CRCW0603100KFKEA | Vishay/Dale | |||||||
CRCW0603100KFKEA | VIS | |||||||
FR4 200X300X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ | 1 162.64 | |||||||
FR4 200X300X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ | ЦПТА | |||||||
VC6243 | 6 720.00 | |||||||
VC6243 | SIN |
|