FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
Power - Max | 135W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRLR8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-10K 1% | ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт |
1.08 >500 шт. 0.36 |
||||||
0805-15.0K 5% | ЧИП — резистор | 418 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
|||||
1206-X7R-0.047UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В | KOME | ||||||
1206-X7R-0.047UF 10% 50V | Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В | 8 | 2.68 | |||||
BH-14 (IDC-14MS) | Вилка прямая на плату , 14 медных контактов с покрытием золото, шаг 2.54мм | 40 640 | 4.98 | |||||
BH-14 (IDC-14MS) | Вилка прямая на плату , 14 медных контактов с покрытием золото, шаг 2.54мм | NXU | ||||||
MCP602I/P | 2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us | MICRO CHIP | ||||||
MCP602I/P | 2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us |
|