IRLS4030-7PPBF
Транзистор МОП N-канальный 100V 190A 370W D2P
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 110A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 190A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11490pF @ 50V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB |
| Корпус | D2PAK (7-Lead) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLS4030-7PPbF (MOSFET) 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
