SI4435DYPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4435DYPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	756	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4435DYPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2320pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.