|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
5 958
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
80 581
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
847
|
3.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
189 112
|
1.63
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
52 023
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
32 343
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
7 906
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
16 000
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
113 446
|
5.28
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
109 550
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
100 376
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
74 675
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
1 107
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
19 680
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
21 612
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
206 800
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
17 172
|
2.75
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
1 067
|
4.35
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
46 924
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
80
|
8.00
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
15.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
10
|
2.28
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
17 937
|
2.56
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.32
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
88 259
|
1.97
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
82 528
|
2.48
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
480
|
4.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
355 066
|
1.15
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
145
|
1.42
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
211 106
|
1.56
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
1 104
|
2.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 447
|
3.00
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
34 880
|
2.89
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 992
|
1.31
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
56
|
3.11
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.74
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
10
|
1.76
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
99 200
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
327 400
|
2.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
28 131
|
2.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
65 274
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
30 163
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
576
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
16 713
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 083 741
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
193 701
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
128 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
720 848
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
39 164
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 230
|
1.60
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
TSC
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
|
26 400
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
DIOTEC
|
6 268
|
1.93
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS
|
37 063
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
NXP
|
5 142
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
YJ
|
11 826
|
1.43
|
|
|
|
BC857A |
|
Транзистор PNP Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C
|
HOTTECH
|
448
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|