IRF640N

Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF640N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	107.40
IRF640N	1 312	88.80
IRF640N (EVVO)	824	40.84
IRF640NLPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	120	3-4 недели Цена по запросу
IRF640NPBF (INFINEON)	3 160	60.96
IRF640NPBF	632	26.62

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Максимальный ток стока 18А
Максимальное напряжение сток-исток 200V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,15 om (тип. 0,48 om)
Максимальная мощность рассеивания 150W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/23nS (тип.)
Время восстановления диода 167nS (тип.)
Корпус IRF640N TO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175^oC
Аналог КП750А

Версия для печати

Технические характеристики IRF640N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1160pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640N (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.15ohm, Id=18A)

Также в этом файле: IRF640NL, IRF640NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF640N datasheet
155.41Kb
11стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	128.88
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		711	79.55
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIR
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	VISHAY
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	Vishay/Siliconix
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	КИТАЙ
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А		588	118.74
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS	26	515.52
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц		1	572.04
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	STMICROELECTRONICS
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	СИНГАПУР
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST1
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	ST MICROELECTRO
TDA7294V	ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц	1
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	53.70
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	80	53.70
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		10	42.55
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1
TL494CN	SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	JSMSEMI	32	38.85
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		3 160	15.12
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	515	17.72
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ