ZVN2110A
N-channel enhancement mode vertical dmos fet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 320mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZVN2110A (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ |
|
|
||||||
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ | КОМ |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ | CNEIEC |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ | ZHONGBO |
|
|
|||||
| ШЛЕЙФ 34 ЖИЛ /1.27MM/ | CONNFLY |
|
|
