ZX3CDBS1M832TA
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN + Diode (Isolated) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 125mA, 4.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
| Power - Max | 3W |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-MLP |
| Корпус | 8-MLP/DFN (3x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ANT-2.45-CHP-T |
|
|
||||||
| ANT-2.45-CHP-T | Linx Technologies Inc |
|
|
|||||
| KAF-5060QBFSURZGS | KGB |
|
|
|||||
| KAF-5060QBFSURZGS |
|
|
||||||
| KXO-V97 48.0 MHZ | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KXO-V97 48.0 MHZ | GEYER |
|
|
|||||
| KXO-V97 48.0 MHZ |
|
|
||||||
 |
LP2985AIM5-2.8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 | NSC |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
66.12 | |||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-2.8 | NS | 142 | 60.00 | ||||
| REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS | ANALOG DEVICES | 194 | 445.63 | |||
| REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS |
|
327.16 | ||||
| REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS | ANALOG |
|
|
|||
| REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS | КИТАЙ |
|
|
|||
| REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS | ANALOG DEVICES |
|
|
