FDS4410

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDS4410		116.00

Версия для печати

Технические характеристики FDS4410

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1340pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDS4410A

Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrenchand#174; MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDS4410 datasheet
116.8Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIR
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FSC
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт			174.00
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	Fairchild Semiconductor
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	КИТАЙ
FDS4435	Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	ONS
HU-2КОМПЛЕКТ		HSUAN MAO
IRF7484	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7484	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			82.28
PMEG4010BEA		NXP
PMEG4010BEA		PHILIPS
PMEG4010BEA				31.48
PMEG4010BEA		NXP	64
PMEG4010BEA		PHILIPS
TECAP 22/10V B 10	Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 10 В	VISHAY