| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
|
32
|
79.96
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BROADCOM
|
3 418
|
109.99
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO/BROADCOM
|
120
|
87.82
|
|
|
|
 |
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
62.37
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
3
|
74.00
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
|
|
61.44
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
29
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
|
|
180.00
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
NCP1450ASN50T1G |
|
Стабилизатор напряжения, Vin,В 0.6V-5.5V, Vout,В 5 V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 180kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
594
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
6 308
|
123.13
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
|
|
176.76
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
5 455
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
683
|
|
|
Версия для печати
