0603-100J

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5822RL	Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS	1 993	27.73
1N5822RL	Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
1N5822RL	Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
1N5822RL	Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
1N5822RL	Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
1N5822RL	Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
FR307 (3A 1000V)	Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ST MICROELECTRONICS
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI			404.00
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	MICRON
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ST MICROELECTRONICS SEMI
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	NUMONYX
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ФИЛИППИНЫ
M25P64-VMF6P	ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	4-7 НЕДЕЛЬ	581
MC34063
MC34063		FCI
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us			28.00
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS	68	58.08
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us	ST MICROELECTRONICS
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us	TEXAS
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us	ТI
TL084CDR	Счетверенный операционный усилитель JFET +-18V, 13V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	572