DMG1016UDW-7

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DMG1016UDW-7 (DIODES INC..)	120	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363

Версия для печати

Технические характеристики DMG1016UDW-7

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Copper Bond Wire Change 3/May/2011
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.07A, 845mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	60.67pF @ 16V
Power - Max	330mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMG1016UDW-7 datasheet