Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Power - Max | 1W |
Frequency - Transition | 15MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Корпус | TO-39 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
|
10
|
79.20
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOT
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ISC
|
913
|
37.06
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
|
24 622
|
1.25
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
DC COMPONENTS
|
24 196
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
БРЕСТ
|
3 353
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
HOTTECH
|
49 601
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SEMTECH
|
2 761
|
1.66
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
БРЕСТ
|
307
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
|
759
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
EIC
|
1 046
|
1.91
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
HOTTECH
|
3 582
|
1.60
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C8V2 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V
|
SUNTAN
|
10 044
|
1.26
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
|
16 106
|
1.30
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
80
|
6.63
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
EIC
|
275
|
1.91
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
28
|
5.90
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
5 840
|
1.97
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KLS
|
13 200
|
1.15
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
1 579
|
1.37
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GEMBIRD
|
28 376
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NSC
|
266
|
96.90
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
16
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
Linear Technology
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
|
|
48.44
|
|
|
|
LM385Z-1.2 |
|
Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|