2SD756
|
Версия для печати
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 250 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 350.0 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.75 |
| Корпус | TO92 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SB716 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 140V, 0,05A, 0,75W, 150MHz | HITACHI |
|
|
|
|
|
|
2SB716 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 140V, 0,05A, 0,75W, 150MHz | 1 | 78.00 | ||
|
|
|
2SB716 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 140V, 0,05A, 0,75W, 150MHz | HIT |
|
|
|
| 2SD667A | HITACHI |
|
|
