BZX84C18LT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 12.6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 225mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 45 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009 |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RGE1100 | RAYCHEM |
|
|
|||||
| RGE1100 |
|
|
||||||
| RGE1100 | RAYCHEM |
|
|
|||||
| RGE1100 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| RGE1100 |
|
|
||||||
| SG3525ANG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SG3525ANG |
|
100.00 | ||||||
| SG3525ANG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ONS |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| SG3525ANG | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| SG3525ANG | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
STN2NF10 |
|
N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet | ST MICROELECTRONICS | 3 | 40.71 | |
|
|
|
STN2NF10 |
|
N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STN2NF10 |
|
N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet | 15 | 57.60 | ||
|
|
|
STN2NF10 |
|
N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
STN2NF10 |
|
N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
| К73-17 1МКФ 630В |
|
|
||||||
| С2-23-2 ВТ 200 КОМ 5% | 382 | 5.12 |
