C8051F410-GQR


Купить C8051F410-GQR по цене 382.03 руб.  (без НДС 20%)
C8051F410-GQR
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
C8051F410-GQR 275 382.03 

Версия для печати

Технические характеристики C8051F410-GQR

ПроизводительSilicon Laboratories Inc.
Количество в упаковке500 шт.
Вес0.513 г
Архитектура8051
Flash32K byte
RAM2.25K byte
Напряжение питанияCORE: 2…5.25 В, IO: 2…5.25 В
АЦП20 x 12bit (200SPS)
ЦАП2 x 12bit
Сторожевой таймересть
Часы реального времениесть
Универсальный последовательный порт1 шт
Корпус (размер)LQFP32
Рабочая температура-40...85 °C
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NXP 2 513 2.00 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SIEMENS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   DIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   DC COMPONENTS 16 764 2.68 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   DIOTEC 127 097 1.07 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NXP 337 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   OTHER 1 165 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   PHILIPS 552 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SIEMENS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)     Заказ радиодеталей 3.00 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   INFINEON 59 цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD 268 2.22 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   HOTTECH 298 612 1.66 
>100 шт.   0.83 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   WUXI XUYANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   YJ 391 644 1.16 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   JSCJ 66 238 1.86 
>100 шт.   0.93 
BAS16 Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)   SUNTAN 240 1.40 
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В   TEXAS INSTRUMENTS 128 65.93 
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В     23 35.20 
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4001BE Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В   HGSEMI 5 300 21.55 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     44 880 4.03 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH 221 728 3.34 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HUASHUO 26 232 6.20 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI 161 261 3.27 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   UMW 8 800 2.95 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   SUNTAN 26 660 10.06 
    MIC5205-3.3YM5 TR LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...   MICREL Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MIC5205-3.3YM5 TR LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...   Micrel Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MIC5205-3.3YM5 TR LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...   MCH/MCRL Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...     841 10.50 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   КРЕМНИЙ 800 13.26 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   СВЕТЛАНА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   БРЯНСК 2 118 12.00 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   НАЛЬЧИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   РИГА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...   ИНТЕГРАЛ 1 21.37 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход