Версия для печати
Технические характеристики CD4520BE

Корпус	16-PDIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	3 V ~ 18 V
Тип триггера	Positive, Negative
Скорость счёта (частота)	8MHz
Время	Synchronous
Сброс	Asynchronous
Число битов на элемент	4
Число элементов	2
Направление	Up
Логический тип	Binary Counter
Серия	4000B
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

CD4520B (Счетчики) CMOS DUAL UP-COUNTERS Также в этом файле: CD4520BE Производитель: Texas Instruments //www.ti.com CD4520BE datasheet 554.88Kb 13стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Счетчики, делители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	ST MICROELECTRONICS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс		54	57.60
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMEN
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	HGSEMI	18	16.85
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		44 960	4.03
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	223 123	3.39
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	22 692	6.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	175 277	3.13
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	9 600	2.95
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	25 199	10.15
		КР531ИД14				320	61.20
		КР531ИД14			НАЛЬЧИК
		КР531ИД14			ДНЕПР
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный		311 907	3.52
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ТОМСК	8	2.00
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	КВАРЦИТ
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	RUS
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НАЛЬЧИК
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ДАЛЕКС
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НИИПП ТОМСК	5 200	35.42
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		4 838	35.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	9 680	42.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	720	80.69
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"