ECAP (К50-35), 220 МКФ, 35 В, 105°C, TK 8X11, TKR221M1VF11
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS16H,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS16H,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS16H,115 | NEX | 24 849 | 2.54 | |||||
| BAS16H,115 |
|
|
||||||
| BAS16H,115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
 |
 |
BUT11AX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 20W, Tf<150nS | NXP |
|
|
|
|
|
|
BUT11AX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 20W, Tf<150nS |
|
85.84 | ||
|
|
|
BUT11AX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 20W, Tf<150nS | NXP |
|
|
|
|
|
|
BUT11AX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 20W, Tf<150nS | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
BUT11AX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 20W, Tf<150nS | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BUT11AX |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 20W, Tf<150nS | ISCSEMI |
|
|
|
| MMSZ5256BT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMSZ5256BT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 917 |
|
|||||
| MMSZ5256BT1G | ONS | 19 556 | 2.03 | |||||
| MMSZ5256BT1G |
|
|
||||||
| TKR4R7M2GG13M | JAMICON |
|
|
|||||
| TKR4R7M2GG13M |
|
|
||||||
| ПЭВ 25 24 КОМ 10% |
|
|
