|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
KA2206B |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом) Gv=45dB, 4.7W BTL (9V/8 Ом)
|
SAMSUNG
|
4
|
107.10
|
|
|
|
KA2206B |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом) Gv=45dB, 4.7W BTL (9V/8 Ом)
|
|
|
72.20
|
|
|
|
KA2206B |
|
Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом) Gv=45dB, 4.7W BTL (9V/8 Ом)
|
SAM
|
|
|
|
|
|
PET32-02 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
STRA6151 |
|
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRA6151 |
|
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRA6151 |
|
|
|
1
|
151.20
|
|
|
|
STRA6151 |
|
|
|
1
|
151.20
|
|
|
|
STRA6151 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
PHILIPS
|
8
|
178.50
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
|
1
|
151.20
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA1517 |
|
Микросхема
|
1
|
|
|
|