|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
MURATA
|
1 840
|
4.92
|
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
MUR
|
183 578
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
|
360
|
6.32
|
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM18EG221SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 (Импеданс на 100MHz=220 Ohm 20%, Idc=2A, R=0.05 Ohm (max), -55 ...
|
MURA
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
18 168
|
9.10
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 666
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
16 884
|
12.79
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
542
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
20
|
7.87
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
328
|
3.94
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRONICS
|
43 729
|
15.74
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
|
20 691
|
12.89
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
STMICROELECTRONICS
|
14 258
|
11.33
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
ST MICROELECT
|
|
|
|
|
|
L78L05ABUTR |
|
Линейный регулятор положительного напряжения Uвх 7-25В, Uвых 4,75-5,5
|
0.00
|
|
|
|
|
|
USB2517-JZX |
|
|
SMSC
|
|
|
|
|
|
USB2517-JZX |
|
|
|
1
|
1 278.40
|
|
|
|
USB2517-JZX |
|
|
STANDARD MICROSYSTEMS CORPORAT
|
9
|
|
|
|
|
USB2517-JZX |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
USB2517-JZX |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
|
7 678
|
8.09
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
HOTTECH
|
800
|
11.72
|
|