FQD19N10LTM
|
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... |
|
12.48 | ||
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | KEC |
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | NEC |
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | UTC |
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ... | HGF |
|
|
|
| OZ9938GN | O2MICRO |
|
|
|||||
| OZ9938GN | 1 | 108.00 | ||||||
| OZ9938GN | 1 | 108.00 | ||||||
| OZ9938GN | 1 |
|
|
|||||
| PQ3RD23 | SHARP |
|
|
|||||
| PQ3RD23 | SHARP |
|
|
|||||
| PQ3RD23 |
|
|
||||||
| SCK08201MSY | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| SCK08201MSY | THINKING |
|
|
|||||
| SCK08201MSY |
|
|
||||||
|
|
SPA20N60C3 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
SPA20N60C3 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
SPA20N60C3 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
SPA20N60C3 |
|
|
