| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
SYMBOL
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
DC COMPONENTS
|
14 708
|
5.30
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
|
1 960
|
8.80
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
FAIRCHILD
|
11
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
MOTOROLA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
40
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
MIC
|
36
|
2.38
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
HOTTECH
|
712
|
6.89
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
WUXI XUYANG
|
242
|
10.92
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
GALAXYME
|
81
|
5.10
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
YJ
|
1 740
|
9.52
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
LGE
|
108
|
6.61
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
1N5406 |
|
Диод 600V, 3A
|
XSEMI
|
670
|
6.22
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SANYO
|
4
|
193.80
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
|
1
|
121.20
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISC
|
1 604
|
33.71
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
ATMEL
|
167
|
400.00
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
|
|
152.00
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20PU |
|
8 - битный контроллер, память 2кБ Flash, ОЗУ 128 Б, 32x8 , 18 выводов, 2.7 ... ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
|
324
|
70.00
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
86.70
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
