|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
NXP
|
1 066
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
PHILIPS
|
15 999
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
|
|
7.88
|
|
|
|
BC640 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
CPFC74NP-PS10H2A15 |
|
|
SUMIDA
|
11 684
|
45.36
|
|
|
|
CPFC74NP-PS10H2A15 |
|
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
CPFC74NP-PS10H2A15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
|
20.24
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
VBSEMI
|
25 816
|
3.93
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TECH PUB
|
24 160
|
5.70
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TRR
|
904
|
5.45
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
130 136
|
3.27
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
1
|
139.20
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс
|
|
|
28.00
|
|
|
|
TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс
|
TOS
|
|
|
|