|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC109B |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC109B |
|
|
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
|
|
40.12
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC4558CN |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 192
|
13.77
|
|
|
|
PT2399 |
|
Микросхема
|
PTC
|
252
|
82.72
|
|
|
|
PT2399 |
|
Микросхема
|
|
|
96.00
|
|
|
|
PT2399 |
|
Микросхема
|
PRINCETON
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
45.90
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
4
|
72.00
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|