|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
GRM31CR71C106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10%, 125С
|
MUR
|
24 767
|
4.35
|
|
|
|
GRM31CR71C106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10%, 125С
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71C106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10%, 125С
|
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71C106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10%, 125С
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
44 960
|
4.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
222 489
|
3.37
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
26 232
|
6.06
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
174 861
|
3.05
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
2.95
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
|
|
100.00
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NSC
|
1
|
56.68
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
|
|
66.12
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NS
|
142
|
60.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
4 518
|
35.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
9 680
|
42.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 800
|
80.69
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|