Версия для печати
Технические характеристики MURS120T3G

Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io)	2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	875mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	35ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

MURS120T3 Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers Также в этом файле: MURS120T3G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MURS120T3G datasheet 83.91Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр			6.08
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MUR	142 755	1.24
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	Murata Electronics North America
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA
		BLM21AG221SN1D		Частотный фильтр	MURATA*
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KB
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KINGBRIGHT
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...			171.92
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KGB
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	КИТАЙ
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом			260.00
		IRFB23N20D		Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INFINEON
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	2.12
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	140	1.60
		MMBT5551LT1G			ONS
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	5 108
		MMBT5551LT1G				320	1.05
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTO
		MMBT5551LT1G			ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5551LT1G			SEMTECH

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"