STD5N52K3
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH3™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 545pF @ 100V |
| Power - Max | 70W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FSQ0465RSWDTU |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
|
|
FSQ0465RSWDTU |
|
ONS |
|
|
|||
|
|
FSQ0465RSWDTU |
|
|
|
||||
| ICE3BR0665JXKLA1 | INFINEON |
|
|
|||||
| ICE3BR0665JXKLA1 |
|
|
||||||
| MBR10150CT | GALAXY |
|
|
|||||
| MBR10150CT | YJ |
|
|
|||||
| MBR10150CT | 24 | 26.40 | ||||||
| MBR10150CT | GALAXY ME |
|
|
|||||
| MBR10150CT | LTL |
|
|
|||||
| MBR10150CT | DIODES |
|
|
|||||
| MBR10150CT | LITE-ON |
|
|
|||||
| STPS20H100CFP |
|
Диод выпрямительныйный Шоттки двойной. общий | ST MICROELECTRONICS | 4 | 270.30 | |||
| STPS20H100CFP |
|
Диод выпрямительныйный Шоттки двойной. общий |
|
|
||||
| STPS20H100CFP |
|
Диод выпрямительныйный Шоттки двойной. общий | ST MICROELECTRONICS SEMI | 368 |
|
|||
| STPS20H100CFP |
|
Диод выпрямительныйный Шоттки двойной. общий | STMicroelectronics |
|
|
|||
| TOP256YN | PI |
|
|
|||||
| TOP256YN |
|
|
||||||
| TOP256YN | Power Integrations |
|
|
