Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | STripFET™ |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
STN3PF06 (MOSFET) P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74LV4066DB | PHILIPS | |||||||
74LV4066DB | PHILIPS | 2 210 | ||||||
BZV55C12/T1 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | NXP | 55 984 | 1.30 | ||||
BZV55C12/T1 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | NEXPERIA | 1 927 | 2.68 | ||||
BZV55C12/T1 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | 0.00 | ||||||
BZV55C12/T1 | Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | |||||||
RGE1100 | RAYCHEM | |||||||
RGE1100 | ||||||||
RGE1100 | RAYCHEM | |||||||
RGE1100 | TE Connectivity | |||||||
RGE1100 | ||||||||
SG3525ANG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
SG3525ANG | 100.00 | |||||||
SG3525ANG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
SG3525ANG | ONS | |||||||
SG3525ANG | ON SEMICONDUCTO | |||||||
SG3525ANG | STMICROELECTR | |||||||
SG3525ANG | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
STTH2003CG | Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STTH2003CG | Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P | 192.00 | ||||||
STTH2003CG | Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P | STMicroelectronics | ||||||
STTH2003CG | Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P | ST MICROELECTRO |
|