STP11NM60ND
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | FDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AP4511GH | APEC | 64 | 151.73 | |||||
| AP4511GH | 1 | 113.40 | ||||||
| AP4511GH | 1 | 113.40 | ||||||
| AP4511GH | ADVANCED POWER |
|
|
|||||
| AP4511GH | 1 |
|
|
|||||
| AP4511GH | 4-7 НЕДЕЛЬ | 727 |
|
|||||
| E-L6598 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| E-L6598 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
 |
 |
E-L6598D013TR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
| ECR25В-100МКФ6X11 | HITANO |
|
|
|||||
| SXE25В-220МКФ |
|
|
