Версия для печати
Технические характеристики STP5NK60ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	690pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

STP5NK60ZFP (MOSFET) N-CHANNEL 650V @Tjmax - 1.2? - 5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP5NK60ZFP datasheet 476.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS	22	17.16
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5822RL		Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...		3	56.32
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ONS
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	MOTOROLA
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	HOTTECH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ZH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	RUME	7 080	12.73
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	TRR	10 400	12.18
		TEA2261		SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В	ST MICROELECTRONICS
		TEA2261		SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В			135.24
		TEA2261		SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В	STMicroelectronics
		TEA2261		SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В	ГЕРМАНИЯ
		TEA2261		SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В	ST1
		TEA2261		SMPS сх. упpавления NPN тpанзистоpом 140Вт, 10-100кГц, 7,4-20В	ST MICROELECTRO
		КП350А				52	168.30
		КП350А			ВИННИЦА
		КП350А			ПУЛЬСАР
		КП350А			ОКТЯБРЬ	33	305.04

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"