STP80NF12

Версия для печати

Технические характеристики STP80NF12

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	189nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4300pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP80NF12 (MOSFET)

N-channel 120V - 0.013? - 80A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP80NF12 datasheet
250.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
179020.1		SIBA
179020.1
179020.1
179020.1		SIB
179020.1,6		SIBA
179020.1,6
GRM188R71E104KA01D		MURATA	5 601	3.94
GRM188R71E104KA01D		MURATA	15 360
GRM188R71E104KA01D		Murata Electronics North America
GRM188R71E104KA01D			184
GRM188R71E104KA01D		MUR	357 408	1.32 >500 шт. 0.44
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	MUR	1 905	4.55
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	MURATA
GRM31M7U1H104JA01L	Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
RC0603JR-0710KL		PHYCOMP
RC0603JR-0710KL		YAGEO	1 930 082	0.80 >1000 шт. 0.16
RC0603JR-0710KL		PHYCOMP
RC0603JR-0710KL		YAGEO	117 332
RC0603JR-0710KL				1.92 >100 шт. 0.96