STW9N150

N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STW9N150	144	283.40
STW9N150	144	283.40
STW9N150 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	1 200	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STW9N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3255pF @ 25V
Power - Max	320W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW9N150 (MOSFET)

N-channel 1500 V - 1.8 ? - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW9N150 datasheet
256.3 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B013 МЕТАЛЛИЧ.		GAINTA
B013 МЕТАЛЛИЧ.
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	29 220	3.56
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		4 014	2.24
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	603	1.70 >100 шт. 0.85
TC4420EOA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
TC4420EOA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
TC4420EOA	Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.
VS-40EPF06PBF
VS-40EPF06PBF		VISHAY/IR
VS-40EPF06PBF		VISHAY
КВИ-3 1500ПФ 10КВ