Версия для печати
Технические характеристики BD677

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	SOT-32-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAI/QTC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRONICS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FSC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAIR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)		1	38.40
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	STMicroelectronics
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ФИЛИППИНЫ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	HOTTECH	8 800	16.73
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	KLS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	1
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		КТ829В				492	7.00
		КТ829В			КРЕМНИЙ	80	81.60
		КТ829В			ФРЯЗИНО	4	14.00
		КТ829В			ЭЛЬТАВ
		КТ829В			БРЯНСК
		КТ829В			САРАНСК
		КТ829В			КРЕМН
		КТ829В			ЭЛЬДАГ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	FAIRCHILD	474
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	GOODARK ELECTRONIC COMPANY,LTD
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	MOTOROLA	4
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	ON SEMICONDUCTOR
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	OTHER
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V		3 200	2.00
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	КИТАЙ
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	VISHAY	800	13.26
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	NXP
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	GOOD-ARK ELECTRONIC COMPANY	4
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	LGE
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	YJ	480	3.94
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	YANGJIE
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	YANGJIE (YJ)
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	KLS	1 051	2.94
		1N4739A		Стабилитрон 1W 9,1V	SEMTECH	24	2.92
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	9 800	2.85
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		88	10.80
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	9.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	11.73
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	FAIR
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	FSC1
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	FSC
		FQPF13N10		100v n-channel mosfet	ONS
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	FAIR
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	FSC
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet			154.80
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	FSC1
		FQPF3N80C		800v n-channel mosfet	ONS
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	NEC
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C		2	123.60
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	МЕКСИКА
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"