![]() |
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 5.8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 430pF @ 10V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
|
![]() | Р В РЎв„ўР В РІР‚в„ў109Р В РІР‚в„ў ТехнРСвЂВВВческРСвЂВВВР В Р’Вµ параРСВВВВетрыМРСвЂВВВР Р…Р СвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВальная общая РµРСВВВВкость варРСвЂВВВкапа,Р С—Р В¤ 1.9МаксРСвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВальная общая РµРСВВВВкость варРСвЂВВВкапа,Р С—Р В¤ 3.1РїСЂРцUРѕР±СЂ,Р В РІР‚в„ў 25Добротность варРСвЂВВВкапа 160Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР Р…Р СвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВальн... 7.56 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | HEDS-5700#C11 РћРїС‚РСвЂВВВческРСвЂВВВР в„– Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВРЅРєСЂРµРСВВВВентный 2-С… канальный РєРѕРТвЂВВВер Р РЋР С“ тактРСвЂВВВльныРѠэффектоРѠРљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | LM3S6100 ВысокопроРСвЂВВВР·РІРѕРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВтельный Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВкроконтроллер Р РЋР С“ архРСвЂВВВтектурой armР’В® cortexв„ў-m3 РљСѓРїРСвЂВВВть |
|
Корзина
|