MIP2K4OMS

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SK2842	Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
2SK2842	Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W	TOS
2SK2842	Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W		85.24
2SK2842	Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт		134.00
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	1
FSQ0365RLX		Fairchild Semiconductor
FSQ0365RLX		FAIRCHILD
FSQ0365RLX
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R		320.00
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	STMicroelectronics
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ФИЛИППИНЫ
STP10NK60Z	Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R	ST MICROELECTRO
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB		272.00
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ГЕРМАНИЯ
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST1