|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
FREESCALE
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
|
|
1 873.64
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
Freescale Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
NXP/FRS
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
94.46
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
187.20
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
DC COMPONENTS
|
32
|
10.00
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
|
11 400
|
10.00
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
MIC
|
1 906
|
10.00
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
TY
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
|
|
980.00
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
СИЛ.ПРИБ.4
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
СИЛОВЫЕ ДИОДЫ
|
4
|
2 784.60
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
АСТРА ЭЛЕКТРО
|
9
|
1 958.40
|
|