![]() |
|
Температурный коэфициент | ±50ppm/°C |
Composition | Thin Film |
Мощность (Ватт) | 0.125W, 1/8W |
Сопротивление (Ом) | 100 |
Серия | RT |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Допустимые отклонения емкости | ±0.1% |
Size / Dimension | 0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm) |
Высота | 0.026" (0.65mm) |
Number of Terminations | 2 |
Корпус (размер) | 1206 (3216 Metric) |
Tolerance | ±0.1% |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0402-2.2КJ | FAITHFUL LINK |
![]() |
![]() |
|||||
0402-2.2КJ | BOURNS |
![]() |
![]() |
|||||
0402-60.4КF | HITANO |
![]() |
![]() |
|||||
RC0402FR-0710KL | YAGEO | 14 043 280 |
0.50 >1000 шт. 0.10 |
|||||
RC0402FR-0710KL | YAGEO | 19 200 |
![]() |
|||||
RC0402FR-0710KL |
![]() |
![]() |
||||||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
![]() |
![]() |
|||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
![]() |
![]() |
|||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
![]() |
![]() |
|||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
![]() |
![]() |
|||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | США |
![]() |
![]() |
|||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
![]() |
![]() |
|||
REF195ESZ |
![]() |
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
![]() |
592.00 | ||||
RT0805BRD0720KL | YAGEO | 2 272 | 2.85 | |||||
RT0805BRD0720KL |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|