Версия для печати
Технические характеристики SMAJ15CA

Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Тип монтажа	Поверхностный
Polarization	Bidirectional
Мощность (Ватт)	400W
Voltage - Breakdown	16.7V
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	15V
Серия	SMAJ
Корпус	SMA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Диоды

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		L5973D013TR			ST MICROELECTRONICS	815	94.46
		L5973D013TR				2 625	78.28
		L5973D013TR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		L5973D013TR			STMicroelectronics
		L5973D013TR			ST MICROELECTRO
		L5973D013TR			STMICROELECTR
		MAX232CSE		Трансивер RS-232, сдвоенный, 120кбит/с, многоканальный +5В/10мА	MAXIM	35	80.00
		MAX232CSE		Трансивер RS-232, сдвоенный, 120кбит/с, многоканальный +5В/10мА		26	96.80
		MAX232CSE		Трансивер RS-232, сдвоенный, 120кбит/с, многоканальный +5В/10мА	MAX
		MAX232CSE		Трансивер RS-232, сдвоенный, 120кбит/с, многоканальный +5В/10мА	MAXIM	1
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	BM	110	504.71
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом		5 192	43.51
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	KLS
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	AMTEK
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	RUICHI	626	62.13
		SN65HVD12DR			TEXAS INSTRUMENTS	8 464
		SN65HVD12DR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN65HVD12DR				6 386	39.79
		SN65HVD12DR			TEXAS
		SN65HVD12DR			TEXASINSTRUMENTS
		STM32F100CBT6B			ST MICROELECTRONICS	84	580.24
		STM32F100CBT6B			STMicroelectronics
		STM32F100CBT6B			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STM32F100CBT6B				140	602.99
		STM32F100CBT6B			КИТАЙ
		STM32F100CBT6B			STMICROELECTR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"