B43458A9338M


Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 400 В

Купить B43458A9338M по цене 3 215.38 руб.  (без НДС 20%)
B43458A9338M
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
B43458A9338M (EPCOS) 109 3 215.38 

Версия для печати

Технические характеристики B43458A9338M

ПроизводительEPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Допуск емкости±20%
Емкость3300 мкФ
Эквивалентное последовательное сопротивление23 мОм
Максимальный ток пульсаций11 А
Срок службы12000 Ч
Размер корпусаф 64.3x105.7
Рабочая температура-40...85 °C
Номинальное напряжение400 В
СерияB43458
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)Screw Terminal
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONS 26 403 3.56 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)     4 014 2.24 
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LESHAN RADIO COMPANY, LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTOR 11 847 цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   ONSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BAV99LT1G 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)   FUXIN 593 1.70 
>100 шт.   0.85 
IRFB4321PBF Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFB4321PBF Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A   INTERNATIONAL RECTIFIER 32 цена радиодетали
IRFB4321PBF Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A   INFINEON 1 220 163.35 
IRFB4321PBF Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH5R06FP       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH5R06FP     ST MICROELECTRONICS 200 127.34 
    STTH5R06FP     STMicroelectronics 4 77.05 
    STTH5R06FP     ST MICROELECTRONICS SEMI 304 цена радиодетали
    STTH5R06FP     ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH5R06FP     0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    VS-10ETF12-M3     VISHAY 1 896 126.43 
    VS-10ETF12-M3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    VS-HFA06TB120PBF     VISHAY/IR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    VS-HFA06TB120PBF     VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    VS-HFA06TB120PBF       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход